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- 氮化镓场效应晶体管(GaN FET)
- SGMGQ11410
PRODUCT SUMMARY
| RDSON (TYP) VGS = 5V | RDSON (MAX) VGS = 5V | ID (MAX) TC = +25℃ |
|---|---|---|
| 1.1mΩ | 1.5mΩ | 477A |
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特性
- 氮化镓硅基增强型高电子迁移率晶体管 (HEMT) 技术
- 工业应用
- 极低栅极电荷
- 超低导通电阻
- 极小封装尺寸
- 符合 RoHS 标准且不含卤素
应用
高频直流/直流转换器
高密度直流/直流电源模块
同步整流器
电机驱动器
太阳能系统最大功率点跟踪器
订购信息
Part Number | Status | Package | Pins | Pd-Free | RoHS | REACH | Green | MSL Rating | Operating Temperature Range | Material Content | Reliability Report | Unit Resale Price* (Volume Range: in USD) | Lead Time** (Volume Range: Days) | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
SGMGQ11410TTLBI8G/TR | 量产 | TLGA-5×6-8L | 8 | YES | YES | YES | YES | -40℃ to +150℃ | 查看 | 查看 |
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** 交货时间仅供参考，可能会根据不同情况而发生变化。
