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- 氮化镓场效应晶体管(GaN FET)
- SGMGQ10310Q
PRODUCT SUMMARY
| RDSON (TYP) VGS = 5V | RDSON (MAX) VGS = 5V | ID (MAX) TA = +25℃ |
|---|---|---|
| 10mΩ | 13.5mΩ | 18A |
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特性
- 符合 AEC-Q101 标准
- GaN-on-Silicon E-Mode HEMT 技术
- 极低栅极电荷
- 零反向恢复电荷
- 芯片尺寸 (2.13mm × 1.63mm)
- 符合 RoHS 标准且不含卤素
应用
激光雷达应用
高功率密度直流/直流转换器
D类音频
高强度前照灯
订购信息
Part Number | Status | Package | Pins | Pd-Free | RoHS | REACH | Green | MSL Rating | Operating Temperature Range | Material Content | Reliability Report | Unit Resale Price* (Volume Range: in USD) | Lead Time** (Volume Range: Days) | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
SGMGQ10310QG/TR | 量产 | WLCSP-2.13×1.63-6L | 6 | YES | YES | YES | YES | MSL1 | -40℃ to +150℃ | 查看 | 查看 | 1-24 units : $8.75/unit 25-99 units : $7.5/unit 100-249 units : $6.25/unit 250-499 units : $5/unit 500-999 units : $4.375/unit 1000-9999 units : $3.25/unit |
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** 交货时间仅供参考，可能会根据不同情况而发生变化。
京公网安备11010802046258号