SGM48522

量产

双路 5V、7A/6A 低侧 GaN 和 MOSFET 驱动器

SGM48522是一款高速双通道低侧驱动器，专为驱动GaN场效应晶体管（FET）和逻辑电平MOSFET设计。其应用领域包括激光雷达（LiDAR）、飞行时间（ToF）、面部识别以及采用低侧驱动器的电源转换器。SGM48522具备7A拉电流和6A灌电流的输出能力，分离输出配置可根据FET单独优化开启和关闭时间。倒装芯片TQFN封装及引脚排列能最大限度减少寄生电感，从而缩短上升和下降时间并抑制振铃。此外，2ns的传播延迟以及极小的公差和变化，可支持高频下的高效运行。

这款驱动器内置欠压锁定和过热保护功能，能防止过载和故障情况的发生。

SGM48522采用绿色TQFN-2×2-10BL封装。

特性

5V 电源电压
7A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流
适用于 GaN 和 Si FET 的超快速低侧栅极驱动器
最小输入脉冲宽度：1ns
工作频率高达 60MHz
传播延迟：2ns（典型值）
上升时间：750ps（典型值）
下降时间：560ps（典型值）
保护特性：
- 欠压锁定 (UVLO)
- 过温保护 (OTP)
采用绿色 TQFN-2×2-10BL 封装

应用

激光测距系统 (LiDAR)

5G 射频通信系统

无线充电系统

GaN DC/DC 转换系统

订购信息

Part Number	Status	Package	Pins	Pd-Free	RoHS	REACH	Green	MSL Rating	Operating Temperature Range	Material Content	Reliability Report	Unit Resale Price* (Volume Range: in USD)	Lead Time** (Volume Range: Days)
SGM48522XTSW10G/TR	量产	TQFN-2×2-10BL	10	Yes	Yes	Yes	Yes	MSL1	-40℃ to +125℃	查看	查看	1-24 units : $5.25/unit 25-99 units : $4.5/unit 100-249 units : $3.75/unit 250-499 units : $3/unit 500-999 units : $2.625/unit 1000-9999 units : $1.95/unit	3K-9K : 14 days 10K-99K : 28 days 100K-999K : 70 days 1000K and above : 98 days

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