SGMGQ11810

SGMGQ11810 是一款 100V、60A 的功率级器件，采用紧凑的 5mm × 6.5mm LGA 封装，内部集成了半桥 GaN FET。该封装内包含两个高性能 GaN FET、栅极驱动器以及驱动器电源电容，是目前业界最紧凑、最高效的 GaN 功率解决方案之一。

该器件提供两个独立的逻辑输入，分别用于控制高侧和低侧 GaN FET，以实现最大的控制灵活性。其分离式驱动器输出允许独立调节导通和关断强度，从而有效优化电磁干扰（EMI）与系统效率。

SGMGQ11810 具备输入互锁功能，并内置自适应直通保护电路，即使在接近零死区时间的情况下，也能确保输出不会同时导通。此外，该器件还集成了全面的故障保护机制，包括：用于防止过充并确保栅极驱动电压稳定的主动式自举（BST）电压控制、VCC 与 BST 独立的欠压锁定（UVLO）和过压锁定（OVLO）功能，以及过温保护。

凭借快速的传播延迟、出色的延迟匹配、卓越的 dv/dt 抗扰度以及超低的封装内寄生电感回路，SGMGQ11810 能够帮助设计人员显著提升系统的功率密度与转换效率。