SGM25890 内部集成了驱动器、控制 MOSFET 以及同步 MOSFET。得益于内部驱动器与 MOSFET 之间极短的连接距离，SGM25890 不仅时序控制更精准、开关节点振铃更小，封装的散热性能也得到了进一步提升。经过优化的驱动器和 MOSFET 尺寸设计，让 SGM25890 在 CPU、GPU 和 DDR 内存等低输出电压应用中展现出更高的效率。
相比传统的直流电阻 (DCR) 检测方案，SGM25890 采用的内部 MOSFET 电流检测方案精度更高，能够帮助多相控制器获取更准确的电流信息。此外，SGM25890 还具备完善的保护功能，包括过温保护 (OTP)、过流保护 (OCP)、高侧短路检测 (HSS) 以及电压动态响应 (VDRV) 欠压保护。
SGM25890 支持高达 1.5MHz 的开关频率，确保与多相控制器配合使用时具备出色的动态性能。控制 MOSFET 与同步 MOSFET 的合理面积分配，进一步确保了 SGM25890 在 CPU、GPU 和 DDR 内存等应用场景中达到最佳效率。
SGM25890 采用绿色 TQFN-5×6-39L 封装。
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特性
- 集成驱动器、同步 MOSFET 和控制 MOSFET
- 片上 MOSFET 电流检测和报告，精度 5μA/A
- 输入电压范围：4.25V 至 16V
- VCC 和 VDRV 供电：4.5V 至 5.5V
- 输出电压范围：VIN = 12V 时为 0.225V 至 5.5V
- 输出电流能力：90A
- 工作频率高达 1.5MHz
- 增强型故障报告和识别
- VDRV 欠压锁定 (UVLO)
- 温度模拟输出：8mV/℃
- 过温保护 (OTP) 和过热关断
- 逐周期过流保护 (OCP) 和过流标志
- 控制 MOSFET 短路 (HSS) 检测和过流标志
- 兼容 3.3V 三态 PWM 输入
- 体制动负载瞬态支持
- 深度睡眠模式（EN = 低）
- 采用绿色 TQFN-5×6-39L 封装
应用
高频、薄型 DC/DC 转换器
用于 CPU、GPU 和 DDR 内存阵列的稳压器
电信级受控与非受控型
订购信息
Part Number | Status | Package | Pins | Pd-Free | RoHS | REACH | Green | MSL Rating | Operating Temperature Range | Material Content | Reliability Report | Unit Resale Price* (Volume Range: in USD) | Lead Time** (Volume Range: Days) | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
SGM25890XTVR39G/TR | 量产 | TQFN-5×6-39L | 39 | YES | YES | YES | YES | MSL3 | -40℃ to +125℃ | 查看 | 查看 | 1-24 units : $17.5/unit 25-99 units : $15/unit 100-249 units : $12.5/unit 250-499 units : $10/unit 500-999 units : $8.75/unit 1000-9999 units : $6.5/unit | 3K-9K : 24 days 10K-99K : 48 days 100K-999K : 88 days 1000K and above : 112 days |
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